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專利號:200810086910
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半導體激光元件及其制造方法

本發明提供一種能夠提高半導體激光元件的波導路的解理面的平坦性的半導體激光元件。該半導體激光元件具有:支撐基板;具有設有沿第一方向延伸的波導路的端部的一對共振器面的半導體激光元件部;以及粘接支撐基板和半導體激光元件部的粘接層。粘接層在共振器面附近具有在所述波導路的至少是端部附近的區域上形成的空隙部。

半導體激光元件及其制造方法

一種半導體激光元件,其特征在于,包括:    支撐基板;    半導體激光元件部,其具有一對共振器面,該共振器面設有沿第一方向延伸的波導路的端部;以及    粘接層,用于粘接所述支撐基板和所述半導體激光元件部,    所述粘接層在所述共振器面附近具有在所述波導路的至少是端部附近的區域上形成的空隙部。
 


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專利號: 200810086910
申請日: 2008年3月28日
公開/公告日: 2008年10月1日
授權公告日:
申請人/專利權人: 三洋電機株式會社
國家/省市: 日本(JP)
郵編:
發明/設計人: 畑雅幸、竹內邦生、德永誠一
代理人: 劉春成
專利代理機構: 北京紀凱知識產權代理有限公司(11245)
專利代理機構地址: 北京市西城區宣武門西大街甲129號金隅大廈602室(100031)
專利類型: 發明
公開號: 101276990
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權: 日本2007年3月30日2007-094738
審批歷史:
附圖數: 16
頁數: 19
權利要求項數: 3
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